LED晶圆激光切割的发展

1、**代紫外激光晶圆切割设备的诞生

当蓝宝石作为衬底材料，被广泛应用于LED芯片生产后，传统的刀具切割已经无法满 足切割要求，以美国Newave为主的几家厂家，遂采用355nm、266nm等短波长纳秒激光器，对蓝宝石晶圆进行划片加工，该方式解决了蓝宝石切割难度大和LED行业对芯片做小和切割道做窄的要求，为以蓝宝石为基底的LED规模化量产，提供了高品质切割的可能和保障。

特点：

激光器功率在1W左右

划片速度10--20mm/s

产能1--3pcs/h

激光脉冲纳秒级

切割效果：开口狭小，效率较低，激光脉宽长，融化现象明显。

2、新一代紫外激光切割设备的发展

随着蓝绿光LED芯片技术的发展和规模的扩大，大家对激光切割设备的要求也越来越高，这也迫使激光设备供应商对设备进行技术升级。同时由于激光器技术的发展和价格的降低，国产激光划片设备也开始进入市场，新一代紫外激光划片设备随即产生，其产能已经提升到一代划片机的3-5倍，*快可达15片每小时。

特点：

激光器功率2--3W

划片速度100--120mm/s

产能10--15pcs/h

激光脉冲宽皮秒级

切割效果：开口宽，切割效率高，激光脉冲短，气化明显，更适合侧壁腐蚀工艺。